Spectroscopic Ellipsometer UVISEL

High precision R&D spectroscopic ellipsometer.

  • broad spectral range – from 145 to 2100 nm;
  • a modular design, enabling the best fit to your applications;
  • can be used either ex-situ or in-situ for integration with process chambers or roll-to-roll machines.

The UVISEL ellipsometer range offers the best combination of modularity and performance for thin film characterizations. Based on phase modulation technology, the UVISEL ellipsometers delivers high accuracy and high resolution measurements with an excellent signal to noise ratio.

UVISEL ellipsometers offer a modular design, enabling the best fit to your applications. Four spectral ranges are available covering wavelengths from 190 to 2100nm. Full automation, a large variety of accessories and integrated microspot optics make the UVISEL a powerful and versatile spectroscopic ellipsometer for demanding research and industrial quality control.

The UVISEL can be used either ex-situ or in-situ for integration with process chambers or roll-to-roll machines. A new configuration, called the UVISEL LT, features a compact, integrated goniometer to provide a very cost-effective ellipsometer.

The DeltaPsi2 software platform provides a complete measurement, modeling, and reporting package addressing both routine and advanced thin film applications.

From thin to thick layers, with or without a transparent substrate, in the fields of semiconductors, flat panel displays, optoelectronics, photovoltaics, and optical and functional coatings, the UVISEL is the best solution for precise characterization of thin film structures.

Product benefits:
  • Highest precision, sensitivity, and resolution;
  • Large spectral range: 190-2100 nm;
  • Modular design;
  • Fully integrated software package.

Obtained information:
→ Thin film thickness from 1Å to >45µm;
→ Optical constants (n,k) for isotropic, anisotropic, and graded films;
→ Surface and interface roughness;
→ Derived optical properties such as absorption coefficient α and optical bandgap Eg;
→ Material properties: compound alloy composition, porosity, crystallinity, morphology, uniformity;
→ Mueller matrix;
→ Depolarization.

Параметры Значение

Спектральный диапазон, нм

145 – 880
190 – 880
210 – 880
190 – 2100
245 – 2100

Система детектирования

монохроматор высокого разрешения, стыкованный с чувствительными детекторами или 32/64 канальный мультиволновой модуль для быстрой регистрации

Неавтоматизированная конфигурация:

Размер аналитического пятна, мм

0,08 – 0,1 – 1 (диафрагма)
50µм по требованию

Столик для образца, мм

ручная подстройка по высоте (40 мм) и наклону

Гониометр: ручное изменение угла, град

от 55 до 90 с шагом 5

Автоматизированная конфигурация:

Ручной или автоматический выбор размера аналитического пятна, мм

0,08 – 0,1 – 1
0,08 – 0,12 – 0,25 – 1,2 (диафрагма)

Автоматический столик образца, мм

200 х 200

XY столик, мм

300 х 300

Ручная подстройка высоты (4 мм) и наклона образца


XYZ столик образца


Поворотный столик


Автоматический гониометр: автоматический выбор угла, град

от 40 до 90 с шагом 0,01

Интегрированный гониометр:

Ручное изменение угла, град

от 35 до 90 с шагом 5

Держатель образца:
- диаметр, мм
- подстройка по высоте, мм



автоколлиматор для подстройки наклона образца

In-situ конфигурация:

Механическая адаптация

CF35 или KF40 переходники

Простое переключение между in-situ и ex-situ конфигурациями



Спектральный рефлектометр, нм

450 – 850
размер пятна 10µм

Система наблюдения образца

ПЗС камера

Качество измерений:

Точность, град

Ψ= 45±0,02 и Δ=0±0,02 измерения в воздухе напрямую в диапазоне 1,5 – 5 эВ


NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 нм):
d ± 0,1 % – n(632,8nm) ± 0,0001

Размеры (ДхШхВ), см

25 х 35 х 21