Главная Продукция Детекторы Одноканальные твердотельные детекторы
Одноканальные ФЭУ-детекторы

Одноканальные твердотельные детекторы

  • спектральный диапазон от 200 нм до 20 мкм;
  • высокая чувствительность и эффективность;
  • возможно термоэлектрическое охлаждение и охлаждение жидким азотом.

HORIBA Scientific предлагает высококачественные твердотельные детекторы – полупроводниковые оптоэлектронные устройства, которые могут генерировать только один электрический сигнал. При сравнительно небольшой стоимости они имеют достаточно высокую чувствительность и эффективность. Их спектральные диапазоны в зависимости от типа и конструкции варьируются от 200 нм до 20 мкм. Могут выполняться без охлаждения, с термоэлектрическим охлаждением и с охлаждением жидким азотом.

Различают фотоэмиссионные детекторы (фотодиоды), фотопроводящие детекторы (фоторезисторы) и двухцветные детекторы:

  • Фотоэмиссионные детекторы – это быстрые и чувствительные датчики, которые не требуют применения усилителя и прерывателя (за исключением некоторых приложений). Верхняя граница их спектрального диапазона ограничена приблизительно 5 мкм.
  • Фотопроводящие детекторы медленнее и не так чувствительны, но их спектральный диапазон в ИК области достигает 12 мкм и выше. Для них требуются прерыватель и усилитель. Популярным детектором такого типа является MCT (HgCdTe) ртуть-кадмий-теллур.
  • Так называемые двухцветные детекторы представляют собой датчики с конструкцией «сэндвич», как правило, с кремниевым детектором впереди и детектором другого типа сзади. Кремний работает до 1,1 мкм; в более длинноволновой области он становится прозрачным, и в работу включается второй детектор. Двухцветные датчики с PbS и PbSe требуют наличия прерывателя и усилителя.

Для максимизации чувствительности HORIBA Scientific предлагает специальный корпус для использования со всеми твердотельными детекторами в ИК диапазоне. Корпус включает эллиптическое зеркало, которое концентрирует сигнал в соотношении 6:1 в направлении 90 градусов от оптической оси. При использовании зеркальной оптики энергия фокусируется на детекторе для всех длин волн.

ТипОхлаждениеСпектральный диапазонЭквивалентная мощность шума (NEP)Примечание

Фотоэмиссионные детекторы

Кремниевый (Si)–0,2 – 1,1 мкм–Нет предусилителя. Большая площадь 10х10 мм. NEP определяется аналоговым входом.
Германиевый (Ge)–0,8 – 1,8 мкм7x10-13Предусилитель. Требует ±15 В.
Германиевый (Ge)Пельтье0,8 – 1,75 мкм5x10-14Предусилитель. Требует ±15 В.
Германиевый (Ge)Жидкий азот0,8 – 1,5 мкм2,5x10-15–
Индий галий арсенид (InGaAs)–0,8 – 1,7 мкм6x10-14Предусилитель. Требует ±15 В.
Индий галий арсенид (InGaAs)Пельтье0,8 – 1,65 мкм1x10-14Предусилитель. Требует ±15 В.
Индий галий арсенид (InGaAs)Жидкий азот0,8 – 1,6 мкм1x10-15Предусилитель. Требует ±15 В.
Арсенид индия (InAs)–1 – 3,6 мкм2x10-10Предусилитель. Требует ±15 В.
Арсенид индия (InAs)Пельтье1 – 3,55 мкм1x10-11Предусилитель. Требует ±15 В.

Фотопроводящие детекторы

Сульфид свинца (PbS)–1 – 3 мкм2x10-12Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 100–500 Гц.
Сульфид свинца (PbS)Пельтье1 – 3 мкм1x10-12Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 100–500 Гц.
Селенид свинца (PbSe)Пельтье1 – 5 мкм2x10-11Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 1 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe)Пельтье1 – 5 мкм1x10-11Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 1 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe)Пельтье1 – 10 мкм1x10-8Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–10 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe)Жидкий азот1 – 14 мкм6x10-12Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–14 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe)Жидкий азот1 – 20 мкм2x10-11Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–20 KГц.

Двухцветные детекторы

Si/InGaAs–0,3 – 1,7 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InGaAsПельтье0,3 – 1,65 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/GeПельтье0,3 – 1,75 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/PbSПельтье0,3 – 3 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/PbSeПельтье0,3 – 5 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InAs–0,3 – 3,6 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InAsПельтье0,3 – 3,55 мкм–Предусилитель. Требует ±15 В.
Яндекс.Метрика